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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C
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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3 G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 3G/4C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 08:25.

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Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. C(in): 10pF. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Nota: transistor complementare (coppia) BC850C. Marcatura sulla cassa: 4g. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 4G. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 0.25W. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V
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