Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25. Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Marcatura sulla cassa: 5B. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 5B. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.

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BC807-40

BC807-40

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Allogg...
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 5C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 5C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 5C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 5C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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BC817-40
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MMBT5551

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Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corrente del collettore: 0.6A. Allo...
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Resistenza, 1 Ohm, 0.25W. Resistenza: 1 Ohm. Potenza: 0.25W. Tipo di resistore: Pellicola spessa. St...
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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 25A. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionament...
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD)...
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Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Tensione Zener: 4.7V...
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Alloggiamento: s...
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