Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC517_D74Z

Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC517_D74Z
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10 - 24 0.33€ 0.40€
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Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC517_D74Z. Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente del collettore: 1.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 18:25.

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BC517

BC517

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia ...
BC517
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V
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Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente massima in uscita (A): 1.5A. Custodi...
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TIP122
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Corrente di uscita: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Fisso/regolabile: tensione di uscita regolabile.. N...
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BS170

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Transistor a canale N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): ...
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