Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 1.2A, TO-92, 30V, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC517_D74Z

Transistor NPN, 1.2A, TO-92, 30V, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC517_D74Z
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 9 0.27€ 0.33€
10 - 24 0.26€ 0.32€
25 - 49 0.24€ 0.29€
50 - 99 0.23€ 0.28€
100 - 249 0.22€ 0.27€
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500 - 1952 0.21€ 0.26€
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Transistor NPN, 1.2A, TO-92, 30V, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC517_D74Z. Transistor NPN, 1.2A, TO-92, 30V, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente del collettore: 1.2A. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 30V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potenza: 0.625W. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.

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BC517
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC517
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Corrente di uscita: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Fisso/regolabile: tensione di uscita regolabile.. V...
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