Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC415C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC415C
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC415C. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Cdil. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.

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BC560CG

BC560CG

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Cust...
BC560CG
Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226AA. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC550C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
BC560CG
Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226AA. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC550C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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