Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V - BC369

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V - BC369
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V - BC369. Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC369. Frequenza di taglio ft [MHz]: 45 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.

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BC640

BC640

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (...
BC640
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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BC636

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (...
BC636
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. C(in): 110pF. Costo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Data di produzione: 1997.04. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. C(in): 110pF. Costo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Data di produzione: 1997.04. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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BT134-600D-127
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