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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD880-PMC

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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD880-PMC. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220...
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Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 65W. Frequenza massima: 3MHz. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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