Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SC2910

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SC2910
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SC2910. Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC2910. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 400. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 70mA. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 140mA. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1208. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 20:25.

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2SC3467

2SC3467

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92...
2SC3467
Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-51 ( MP ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Costo): 1.7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Altezza 9 mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funzione: Video, Hi-def. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC3467
Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-51 ( MP ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Costo): 1.7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Altezza 9 mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funzione: Video, Hi-def. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BF421

BF421

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custo...
BF421
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Diodo CE: sì
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Diodo CE: sì
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2SC2705

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2SC2705
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 1.8pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): 800mA. Marcatura sulla cassa: C2705. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1145. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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