Transistor NPN, saldatura PCB, D17/C, 50mA - 2SC2632

Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 0.14A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1209. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC2910. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 400. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 70mA. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 140mA. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1208

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C2310 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS