Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284
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Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284. Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Costo): 400pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: hFE 750...180000. Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Peso: 11.8g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6287. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 04:25.

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MJ11016G

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MJ11016G
Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 4pF. Costo): TO-204AA. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11015. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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