Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284
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Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284. Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Costo): 400pF. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: hFE 750...180000. Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6287. Peso: 11.8g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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MJ11016G

MJ11016G

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiam...
MJ11016G
Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 4pF. Costo): TO-204AA. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11015. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
MJ11016G
Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 4pF. Costo): TO-204AA. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11015. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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FUSE-5-000A20T

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Corrente continua massima: 5A. Tipo di fusibile: vetro (cilindrico). Proprietà fusibili: fusibile ...
FUSE-5-000A20T
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento...
BD679A
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WPS-25GRAM

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Funzione: grasso siliconico termicamente conduttivo. Peso: 25g. Temperatura di funzionamento: -50......
WPS-25GRAM
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FQPF8N80C

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Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3 (...
KUY12
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MJ15016-ONS

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Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ...
MJ15016-ONS
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Struttura: bidirezionale. Alloggiamento: DO201. Tipo di montaggio: THT. Dissipazione di potenza di p...
1-5KE18CA
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Transistor a canale N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100Â...
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Esaurito
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Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 50A. Alloggiam...
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