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Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V - 2N3055-PMC

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V - 2N3055-PMC
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Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V - 2N3055-PMC. Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 23:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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