Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
0
Categorie di Prodotto :
Audio
>
307
Automazione
>
19
Cavi
>
1760
Componenti passivi
>
10159
Computer
>
56
Connettori
>
5643
Contenitori per elettronica
>
1202
Elettronica per il tempo libero
>
529
Energia
>
1281
Interruttori
>
926
Optoelettronica
>
1955
Parti meccaniche
>
423
Protezione elettrica
>
1131
Raffreddamento
>
750
Relè
>
843
Riparazione
>
942
Semiconduttori
>
14316
Trasformatori
>
547
Utensili
>
1365
Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 6.53€ 7.97€
2 - 2 6.20€ 7.56€
3 - 3 5.87€ 7.16€
Qnéuantità U.P
1 - 1 6.53€ 7.97€
2 - 2 6.20€ 7.56€
3 - 3 5.87€ 7.16€
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Quantità in magazzino : 3
Set da 1

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60. Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

Quantità in magazzino : 130
IRFB9N60A

IRFB9N60A

Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID...
IRFB9N60A
Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 530 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS
IRFB9N60A
Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 530 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS
Set da 1
4.11€ IVA incl.
(3.37€ Iva esclusa)
4.11€

Consigliamo inoltre :

Quantità in magazzino : 42
IRF7455

IRF7455

Transistor a canale N, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C)...
IRF7455
[LONGDESCRIPTION]
IRF7455
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.50€ IVA incl.
(1.23€ Iva esclusa)
1.50€
Quantità in magazzino : 91
UC3842AN

UC3842AN

Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. A...
UC3842AN
[LONGDESCRIPTION]
UC3842AN
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.27€ IVA incl.
(1.86€ Iva esclusa)
2.27€
Quantità in magazzino : 9
MBR10200CT

MBR10200CT

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnic...
MBR10200CT
[LONGDESCRIPTION]
MBR10200CT
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.17€ IVA incl.
(1.78€ Iva esclusa)
2.17€
Quantità in magazzino : 112
IRFBE30

IRFBE30

Transistor a canale N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T...
IRFBE30
[LONGDESCRIPTION]
IRFBE30
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.61€ IVA incl.
(2.14€ Iva esclusa)
2.61€
Quantità in magazzino : 2644
IRF7313

IRF7313

Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzion...
IRF7313
[LONGDESCRIPTION]
IRF7313
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.16€ IVA incl.
(0.95€ Iva esclusa)
1.16€
Quantità in magazzino : 308
J29-P120

J29-P120

Nota: PTC (blu). Nota: 24°C=5.46K...
J29-P120
[LONGDESCRIPTION]
J29-P120
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.95€ IVA incl.
(0.78€ Iva esclusa)
0.95€
Quantità in magazzino : 3
SD20N60

SD20N60

Transistor a canale N, 20A, 20A, TO-247, TO-247. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Alloggiamen...
SD20N60
[LONGDESCRIPTION]
SD20N60
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
25.03€ IVA incl.
(20.52€ Iva esclusa)
25.03€

Informazioni e aiuto tecnico

Per telefono :
Via e-mail
Condizioni di vendita

Pagamento e consegna

Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!

Iscriviti alla newsletter

Accetto di ricevere e-mail e capisco che potrò annullare l'iscrizione in qualsiasi momento dopo l'iscrizione.

Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.