Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5

Transistor a canale N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5
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Transistor a canale N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5. Transistor a canale N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 650V. RoHS: sì. C(in): 3000pF. Costo): 1170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 610 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 20N60S5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 4.5V. Prodotto originale del produttore Infineon. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.

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SPP20N60C3

SPP20N60C3

Transistor a canale N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13....
SPP20N60C3
Transistor a canale N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO220-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 62.1A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 20N60C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 67 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V
SPP20N60C3
Transistor a canale N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO220-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 62.1A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 20N60C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 67 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V
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IR2153
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Resistenza: 250k Ohms. Numero di canali: 1. Tipo di resistore: strato di carbonio. Numero di giri: 1...
PC16SH-10IP06-254A2020
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PC16SH-10IP06-254A2020
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IRFR5305
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PP-1748
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CONN-P008-2-5M
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NCP1200P60G
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