Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms - P30N03A

Transistor a canale N, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms - P30N03A
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Transistor a canale N, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms - P30N03A. Transistor a canale N, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms. ID (T=25°C): 30A. Ids: 0.1uA. Idss (massimo): 30A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. C(in): 860pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 09:25.

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Transistor a canale N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS II.5. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V
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Transistor a canale N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS II.5. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V
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