Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF830APBF

Transistor a canale N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF830APBF
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Transistor a canale N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF830APBF. Transistor a canale N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 620 ns. Costo): 93 ns. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 430 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 20A. ID (min): 25uA. Temperatura: +105°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.

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Transistor a canale N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 610pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 320 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 18A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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