Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630B

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630B
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Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630B. Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 36A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 72W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: N-Channel MOSFET. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.

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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): 50. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF630. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IRF630
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): 50. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF630. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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