Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530

Transistor a canale N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530
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Transistor a canale N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530. Transistor a canale N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 670pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 56A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.

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Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 920pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 93 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 60A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 9.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS
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