Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD
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2 - 2 11.54€ 14.08€
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Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD. Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2820pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: FGH60N60SFD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 22 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 12:25.

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Transistor a canale N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento:...
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Transistor a canale N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. C(in): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 47ms. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 104 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS
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Transistor a canale N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. C(in): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 47ms. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 104 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS
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