Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3563

Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3563
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Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3563. Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 550pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: K3563. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.

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Transistor a canale N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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