Transistor a canale N, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - 2SK2039

Transistor a canale N, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - 2SK2039. Transistor a canale N, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 690pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 26/07/2025, 13:25.