Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS

Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS
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10 - 24 0.34€ 0.41€
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Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS. Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Prodotto originale del produttore Diotec Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.

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BS170

BS170

Transistor a canale N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): ...
BS170
Transistor a canale N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 24pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1.2A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: BS170. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V
BS170
Transistor a canale N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 24pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1.2A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: BS170. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V
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2N7000

Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (ma...
2N7000
Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V
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Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V
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BS170
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CD4017BE

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CD4017BE
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CD4017BE
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Transistor NPN, TO-92, saldatura PCB, 40V, 200mA. Alloggiamento: TO-92. Alloggiamento: saldatura PCB...
2N3906
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LM393P
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Funzione: amplificatore operazionale. Nota: 158 series. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assembl...
LM358P
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LM358P
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
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BC639

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corren...
BC639
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