Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS

Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS
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25 - 49 0.32€ 0.39€
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Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS. Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 23:25.

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BS170

Transistor a canale N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): ...
BS170
Transistor a canale N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 24pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 1.2A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: BS170. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 24pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 1.2A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: BS170. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (ma...
2N7000
Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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CD4017BE

CD4017BE

Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 16. Tipo di circu...
CD4017BE
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2N3906

2N3906

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 10...
2N3906
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2N3906
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RoHS: sì. Numero di circuiti: 2. Velocità di commutazione [ns]: 1500 ns. Tensione di offset in ing...
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LM358P

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Numero di circuiti: 2. Larghezza di banda [MHz]: 0.7 MHz. Velocità di risposta [V/us]: 0.3V/us. Ten...
LM358P
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LM358P
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LM3914N-1

LM3914N-1

RoHS: sì. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzioname...
LM3914N-1
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LM3914N-1
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BC237B

BC237B

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custod...
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1N5408

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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
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BC639

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: T...
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