Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MB6S-E3-80

MB6S-E3-80
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1 - 9 0.38€ 0.46€
10 - 24 0.36€ 0.44€
25 - 49 0.34€ 0.41€
50 - 99 0.32€ 0.39€
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MB6S-E3-80. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore di rete 230V. Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: B6. Passo: 2.54mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: TO-269AA (MBS). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 4. Dimensioni: dimensioni cassa 4,1x4,95 mm. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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B1000S1500

B1000S1500

Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
B1000S1500
Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.2mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
B1000S1500
Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.2mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
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Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore di rete 230V. Corrente diretta (AV): 0.5A...
MB6S-E3-80
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MB6S-E3-80
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B1000D

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Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore:...
B1000D
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DB107S

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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
DB107S
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S1WB80B

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A....
S1WB80B
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BTB16-600CW

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Data di produzione: 2014/49. Igt (massimo): 35mA. Igt (tipo): 35mA. Ih (max): 35mA. Ih (tipo): 35mA....
BTB16-600CW
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1.96€ IVA incl.
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FQPF8N60C

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-2...
FQPF8N60C
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A....
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11.49€ IVA incl.
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S1WBS60

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A....
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1N4004

1N4004

RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
1N4004
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CR-06JL7-1R5

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Resistenza: 1.5 Ohms. Potenza: 0.25W. Alloggiamento: SMD 1206. Tolleranza: 5%. Resistenza (R): 1R50...
CR-06JL7-1R5
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CR-06JL7-1R5
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