Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.69€ | 2.06€ |
5 - 9 | 1.61€ | 1.96€ |
10 - 24 | 1.52€ | 1.85€ |
25 - 43 | 1.44€ | 1.76€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.69€ | 2.06€ |
5 - 9 | 1.61€ | 1.96€ |
10 - 24 | 1.52€ | 1.85€ |
25 - 43 | 1.44€ | 1.76€ |
IRFI630G. C(in): 800pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: IRFI630G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 9.4 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
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