Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

ERA22-08

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5 - 9 1.18€ 1.44€
10 - 24 1.12€ 1.37€
25 - 49 1.06€ 1.29€
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ERA22-08. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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BYD33M

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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Co...
BYD33M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms
BYD33M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms
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Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. M...
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BOX-M100-80-40

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Materiale: alluminio/acciaio. Dimensioni interne: 94x74x36mm. Funzione: custodia per strumento elett...
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2N5415

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C(in): 75pF. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. ...
2N5415
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Esaurito
TDA4660

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Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo ...
TDA4660
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Esaurito
2SK1120

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Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Silicon N Channel Mos. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-...
2SK1120
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