Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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EGP20D

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1 - 9 0.53€ 0.65€
10 - 24 0.50€ 0.61€
25 - 49 0.49€ 0.60€
50 - 99 0.47€ 0.57€
100 - 249 0.46€ 0.56€
250 - 499 0.45€ 0.55€
500 - 545 0.43€ 0.52€
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EGP20D. Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Prodotto originale del produttore Ge (tungsram). Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 00:25.

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BYV27-200-TAP

BYV27-200-TAP

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatur...
BYV27-200-TAP
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOD-57. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.07V @ 3A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 200V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1uA..150uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 25 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.07V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V
BYV27-200-TAP
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOD-57. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.07V @ 3A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 200V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1uA..150uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 25 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.07V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V
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EGP20G

EGP20G

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2m...
EGP20G
Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
EGP20G
Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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UF5404

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UF5404
[LONGDESCRIPTION]
UF5404
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0.28€ IVA incl.
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2SD667

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-...
2SD667
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1N4007

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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda te...
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0.0314€ IVA incl.
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BD244C

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: sa...
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2SB647

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. C...
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SB3200

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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
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