Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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EGP20D

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1 - 9 0.53€ 0.65€
10 - 24 0.50€ 0.61€
25 - 49 0.47€ 0.57€
50 - 99 0.45€ 0.55€
100 - 249 0.44€ 0.54€
250 - 499 0.43€ 0.52€
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EGP20D. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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BYV27-200-TAP

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatur...
BYV27-200-TAP
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOD-57. Custodia (standard JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 200V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1uA..150uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.07V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.07V @ 3A
BYV27-200-TAP
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOD-57. Custodia (standard JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 200V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1uA..150uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.07V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.07V @ 3A
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EGP20G

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Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero ...
EGP20G
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Gu...
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Do: 175pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: ...
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