Funzione: "Commutazione efficiente di MOSFET di potenza e IGBT". Nota: 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers. Nota: Alta velocità. Nota: tr 9ns, tf 8ns (Cload=1000pF Vcc=18v). Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. VCC: 4.5...35V. Tensione di alimentazione: 40V