Controllo MOSFET

Nota: Non Inverting. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Nota: Alta velocità. Nota: Inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: 0...+70°C

Nota: Non Inverting. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +18V

Nota: Non Inverting. RoHS: sì. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Funzione: 3A Dual MOSFET Driver, Inverting. Nota: Dual Inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: PDIP. Custodia (secondo scheda tecnica): 300k Ohms. Temperatura di funzionamento: 0...+70°C. Nota: Alta velocità

Nota: Dual Non Inverting. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Funzione: Driver doppio MOSFET 3A, ad alta velocità

RoHS: sì. Numero di circuiti: 2. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +18V. Nota: Dual Non Inverting. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: PDIP. Custodia (secondo scheda tecnica): 300k Ohms. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Nota: Inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: PDIP. Custodia (secondo scheda tecnica): 300k Ohms. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Nota: Inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOIC-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Nota: Non Inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Condizionamento: tubo di plastica. Nota: Non Inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: MSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): MSOP-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Nota: Non Inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOIC-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Nota: inverting/Non inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Nota: inverting/Non inverting. Equivalenti: TC4428ACPA (0...+70°C). Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

RoHS: sì. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +18V. Nota: Inverting. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: 0...+70°C. Nota: Alta velocità

Nota: Inverting. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Nota: Alta velocità

Funzione: 1 x MOSFET Gate Driver. Nota: Inverting. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 470mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: 0...+70°C. VCC: 4.5...30V. Tensione di alimentazione: 36V. Nota: Protezione ESD 4kV. Nota: Alta velocità. Nota: délais courts < 78ns

RoHS: sì. Numero di terminali: 5. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +18V. Funzione: Driver di potenza MOSFET. Numero di terminali: 5. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-5

Nota: corrente di uscita di picco 1,2 A. Numero di terminali: 14. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-14. VCC: 4.5...18V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO16W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 16. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Numero di circuiti: 4. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +18V

Nota: corrente di uscita di picco 1,2 A. Numero di terminali: 14. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-14. VCC: 4.5...18V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di controllo tiristore/triac. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP16. Custodia (standard JEDEC): DIP-16. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 16. Tipo di circuiti: Regolatore dell angolo di fase. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -25°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Tensione minima di alimentazione (V): +8V. Tensione massima di alimentazione (V): +18V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO18W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 18. Tipo di circuiti: array di transistor. Numero di circuiti: 8:1. Tipo di ingresso: 5V TTL/CMOS. Voltaggio massimo in uscita: 50V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Tensione massima di alimentazione (V): +50V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO18W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 18. Tipo di circuiti: array di transistor. Numero di circuiti: 8:1. Tipo di ingresso: 5V TTL/CMOS. Voltaggio massimo in uscita: 50V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Tensione massima di alimentazione (V): +50V