Controllo MOSFET

Nota: EL7104CNZ. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Nota: driver MOSFET di potenza a canale singolo

Nota: EL7104CSZ. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Nota: driver MOSFET di potenza a canale singolo

Funzione: Circuito integrato monolitico per gate drive a semiponte. Data di produzione: 2014/18. Nota: VB 625V. Marcatura sulla cassa: 7380. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. VCC: 10...20V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP16. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 16. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio ponte H MOSFET/IGBT. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione minima di alimentazione (V): +8.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +15V

Nota: Z-IC. Numero di terminali: 24. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-24. Nota: Pilota MOSFET a canale N

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Numero di circuiti: 2. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Tensione minima di alimentazione (V): -15V/+4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +15V

Numero di terminali: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Nota: Io+ 210mA, Io- 360mA. Nota: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A

Numero di terminali: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Nota: Io+ 210mA, Io- 360mA. Nota: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Custodia (standard JEDEC): 1W. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. RoHS: sì. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Custodia (standard JEDEC): montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-16. Numero di terminali: 16. Spec info: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO16W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 16. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/500V

Corrente di uscita (max): 0.2A...0.42A. Tensione di uscita: 10V...20V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-14. Numero di terminali: 14

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP14. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 14. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-16. Nota: Io 0.2/0.42A. Nota: Vout 10V...20V. Numero di terminali: 16

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO16W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 16. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-14. Nota: Vout 10V...20V. Numero di terminali: 14. Nota: Io +-2A 2.5A

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP14. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 14. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C. Tensione minima di alimentazione (V): +10V. Tensione massima di alimentazione (V): +20V/600V

Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOIC-16. Nota: Vout 10V...20V. Numero di terminali: 16. Nota: Io +-2A 2.5A