Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BAV18-TAP

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BAV18-TAP. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 60V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 250V
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Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 250V
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Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C
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Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C
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