Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 2A, 60V - TIP110

Transistor NPN, 2A, 60V - TIP110
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 0.85€ 1.04€
5 - 9 0.81€ 0.99€
10 - 24 0.77€ 0.94€
25 - 25 0.73€ 0.89€
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Transistor NPN, 2A, 60V - TIP110. Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Nota: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.

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TIP122

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TIP122
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP122. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: silicio. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127
TIP122
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP122. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: silicio. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127
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NE555P

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1N4148
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TIP36C
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LM358P
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