Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005. Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 05:25.

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ST13005A

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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
ST13005A
Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 8A. Marcatura sulla cassa: 13005A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS
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MJE13007

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BUL128D-B

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Transistor NPN, 4A, 400V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. M...
BUL128D-B
Transistor NPN, 4A, 400V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Transistor NPN, 4A, 400V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Capacità: 100nF. Diametro: 6mm. Nota: Tc--Y5V. Materiale del condensatore: ceramica. Passo: 5.08mm....
CCER100NF100V
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CCER100NF100V
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L7805ABV
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ELC100UF50P-105-H

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Tensione CC: 50V. Capacità: 100uF. Diametro: 8mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 12mm. Config...
ELC100UF50P-105-H
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