Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018

Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018
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Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018. Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 20mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 800 MHz. Funzione: FM-V/M/O. Guadagno hFE massimo: 198. Guadagno hFE minimo: 40. Marcatura sulla cassa: 15.8k Ohms. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 04:25.

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BC546B

BC546B

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.1A. Custod...
BC546B
Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC546B
Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N3904

2N3904

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Cust...
2N3904
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. C(in): 8pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Costruzione di stampi planari epitassiali . Tf(massimo): 75 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB
2N3904
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. C(in): 8pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Costruzione di stampi planari epitassiali . Tf(massimo): 75 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB
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CCAP10UF100V
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ELC100UF35P-H
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ELC100UF35P-H
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