Transistor NPN, 0.15A, 60V - KSA733-Y
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.49€ |
| 25 - 49 | 0.39€ | 0.48€ |
| 50 - 99 | 0.38€ | 0.46€ |
| 100 - 249 | 0.37€ | 0.45€ |
| 250 - 499 | 0.36€ | 0.44€ |
| 500+ | 0.35€ | 0.43€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.49€ |
| 25 - 49 | 0.39€ | 0.48€ |
| 50 - 99 | 0.38€ | 0.46€ |
| 100 - 249 | 0.37€ | 0.45€ |
| 250 - 499 | 0.36€ | 0.44€ |
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Transistor NPN, 0.15A, 60V - KSA733-Y. Transistor NPN, 0.15A, 60V. Corrente del collettore: 0.15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore --. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 03:25.
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V
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