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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - FJAF6810A

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - FJAF6810A
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10 - 24 1.14€ 1.39€
25 - 49 1.08€ 1.32€
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - FJAF6810A. Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 12:25.

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Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 14A. Cu...
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Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 14A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 14A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato J6812. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Diodo CE: sì
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato J6812. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Diodo CE: sì
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