Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V - BD912-ST

Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V - BD912-ST
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Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V - BD912-ST. Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.

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BD912

BD912

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
BD912
Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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2N5551

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Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.6A. Custo...
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PC16SH-10IP06-254A2020

PC16SH-10IP06-254A2020

Resistenza: 250k Ohms. Numero di canali: 1. Tipo di resistore: strato di carbonio. Numero di giri: 1...
PC16SH-10IP06-254A2020
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PC16SH-10IP06-254A2020
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2N2222AG

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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento:...
2N2222AG
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Corrente continua massima: 500mA. Tipo di fusibile: vetro (cilindrico). Proprietà fusibili: fusibi...
FUSE-0-500A20T
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2SC1815

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Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Cust...
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Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
FJP13009H2
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SW2001-2S

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Ritaglio/foratura del pannello: 6.3mm + 2.5mm. Nota: interruttore a levetta, 1 circuito, 2 posizioni...
SW2001-2S
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Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
STPS20H100CT
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