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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680-DIV

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680-DIV
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680-DIV. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Div. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 07:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD682. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD681. Tipo di transistor: PNP
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento...
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: hFE 750. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: hFE 750. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP
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Transistor NPN, 4A, 120V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Nota: >750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP
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Transistor NPN, 4A, 120V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Nota: >750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP
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