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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V - BCP52-16

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V - BCP52-16
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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V - BCP52-16. Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 145 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP52/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP55-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 09:25.

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BCP53-16

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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP 5316. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP56-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
BCP53-16
Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP 5316. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP56-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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