Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC328-25

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC328-25
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC328-25. Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.

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BC327-25

BC327-25

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custod...
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hFE 160-400. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hFE 160-400. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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BC327-16

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