Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V - 2SD863

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V - 2SD863
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V - 2SD863. Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB764. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Prodotto originale del produttore Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 18:25.

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2SD1207

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-...
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
2SD1207
Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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TDA2822M

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