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Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V - 2SD734

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Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V - 2SD734. Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 0.7A. Alloggiamento: TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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