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Transistor NPN, 0.2A, 60V - 2SC943

Transistor NPN, 0.2A, 60V - 2SC943
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25 - 49 2.33€ 2.84€
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Transistor NPN, 0.2A, 60V - 2SC943. Transistor NPN, 0.2A, 60V. Corrente del collettore: 0.2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 220 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN. Prodotto originale del produttore Nec. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 232. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 232. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V
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