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Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717

Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717
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Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717. Transistor NPN, 21A, 700V. Corrente del collettore: 21A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Nota: Vce(sat) 3Vmax. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 15A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 35A. Marcatura sulla cassa: C5302. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: velocità elevata (tf=100ns tipico)
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Transistor NPN, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 15A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 35A. Marcatura sulla cassa: C5302. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: velocità elevata (tf=100ns tipico)
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