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Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717

Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717
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Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717. Transistor NPN, 21A, 700V. Corrente del collettore: 21A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Nota: Vce(sat) 3Vmax. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 35A. Marcatura sulla cassa: C5302. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: velocità elevata (tf=100ns tipico). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 35A. Marcatura sulla cassa: C5302. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: velocità elevata (tf=100ns tipico). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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