Transistor NPN, 1A, 40V - 2SC2673
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Transistor NPN, 1A, 40V - 2SC2673. Transistor NPN, 1A, 40V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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