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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V - 2N4403BU

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V - 2N4403BU
Qnéuantità (Set da 5) Iva esclusa IVA incl.
1 - 2 0.73€ 0.89€
3 - 4 0.70€ 0.85€
5 - 9 0.66€ 0.81€
10 - 19 0.64€ 0.78€
20 - 49 0.62€ 0.76€
50 - 91 0.55€ 0.67€
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1 - 2 0.73€ 0.89€
3 - 4 0.70€ 0.85€
5 - 9 0.66€ 0.81€
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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V - 2N4403BU. Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 30/07/2025, 07:25.

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2N4403

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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo Pack, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo Pack, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Vebo: 5V
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