Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, TO-92, saldatura PCB, TO-226, 40V, 600mA - 2N4403

Transistor NPN, TO-92, saldatura PCB, TO-226, 40V, 600mA - 2N4403
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2 - 2 1.12€ 1.37€
3 - 4 1.06€ 1.29€
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Transistor NPN, TO-92, saldatura PCB, TO-226, 40V, 600mA - 2N4403. Transistor NPN, TO-92, saldatura PCB, TO-226, 40V, 600mA. Alloggiamento: TO-92. Alloggiamento: saldatura PCB. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N4403. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Diotec. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.

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2N4403BU

2N4403BU

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custod...
2N4403BU
Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
2N4403BU
Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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