Transistor IGBT

Transistor IGBT. C(in): 9830pF. Costo): 570pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: IGBT ad alta velocità per commutazione 20-50kHz. Corrente del collettore: 310A. Ic(impulso): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marcatura sulla cassa: IXYK140N90C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1630W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 145 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Voltaggio gate/emettitore VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SGH80N60UF. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 80A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 195W. Corrente massima del collettore (A): 220A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 122 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Corrente massima del collettore (A): 112A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SGW25N120. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 46A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 990 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 313W. Corrente massima del collettore (A): 84A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 389 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Corrente massima del collettore (A): 112A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 122 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Corrente massima del collettore (A): 112A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): tubo di plastica. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 106 ns. Td(acceso): 16 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: K30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Corrente massima del collettore (A): 112A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 106 ns. Td(acceso): 16 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V

Transistor IGBT. C(in): 2870pF. Costo): 295pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Corrente del collettore: 70A. Ic(impulso): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marcatura sulla cassa: GW20NC60KD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 164 ns. Td(acceso): 46 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor IGBT. C(in): 8000pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 74 ns. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: GW60V60DF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 216 ns. Td(acceso): 57 ns. Alloggiamento: TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS