Transistor IGBT

Transistor IGBT. C(in): 2870pF. Costo): 295pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 70A. Ic(impulso): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marcatura sulla cassa: GW20NC60KD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 164 ns. Td(acceso): 46 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V

Transistor IGBT. C(in): 8000pF. Costo): 280pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 74 ns. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: GW60V60DF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. RoHS: sì. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 216 ns. Td(acceso): 57 ns. Alloggiamento: TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V