Transistor IGBT

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC30KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 28A. Corrente massima del collettore (A): 58A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC30S. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 34A. Corrente massima del collettore (A): 68A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 540 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC30UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 23A. Corrente massima del collettore (A): 92A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 91 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC40KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 42A. Corrente massima del collettore (A): 84A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC40K. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 42A. Corrente massima del collettore (A): 84A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 140 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC40UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Corrente massima del collettore (A): 160A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 54 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC40W. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Corrente massima del collettore (A): 160A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC50FD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Corrente massima del collettore (A): 280A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 55 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 240 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC50F. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Corrente massima del collettore (A): 280A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 31 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 240 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC50KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 52A. Corrente massima del collettore (A): 104A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 63 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 150 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PF50W. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 900V. Corrente collettore Ic [A]: 51A. Corrente massima del collettore (A): 204A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 29 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PH20KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 11A. Corrente massima del collettore (A): 22A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PH40K. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 30A. Corrente massima del collettore (A): 60A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PH40UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente massima del collettore (A): 82A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 46 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. C(in): 825pF. Costo): 150pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo al germanio: sì. Corrente del collettore: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Nota: > 6KV ESD Gate Protection. Nota: resistenze integrate R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Marcatura sulla cassa: GB14C40L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8.3 ns. Td(acceso): 1.35 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 1.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 2.2V

Transistor IGBT. C(in): 3025pF. Costo): 245pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 90A. Ic(impulso): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 145 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 39N60BD1. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 76A. Corrente massima del collettore (A): 152A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 500 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. C(in): 760pF. Costo): 220pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 480A. Ic(impulso): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1630W. RoHS: sì. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 226 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Voltaggio gate/emettitore VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V

Transistor IGBT. C(in): 9830pF. Costo): 570pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: IGBT ad alta velocità per commutazione 20-50kHz. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 310A. Ic(impulso): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marcatura sulla cassa: IXYK140N90C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1630W. RoHS: sì. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 145 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Voltaggio gate/emettitore VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SGH80N60UF. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 80A. Corrente massima del collettore (A): 220A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 195W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente massima del collettore (A): 112A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 122 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SGW25N120. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 46A. Corrente massima del collettore (A): 84A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 990 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 313W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente massima del collettore (A): 112A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 389 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente massima del collettore (A): 112A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 122 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: K30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente massima del collettore (A): 112A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C