Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V - STW11NK90Z

Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V - STW11NK90Z
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2 - 2 4.96€ 6.05€
3 - 4 4.69€ 5.72€
5 - 9 4.43€ 5.40€
10 - 19 4.33€ 5.28€
20 - 29 4.23€ 5.16€
30 - 59 4.07€ 4.97€
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Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V - STW11NK90Z. Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.82 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 3000pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 584 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 76 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.

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Transistor a canale N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T...
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Transistor a canale N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 1000V. C(in): 3500pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 560 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità dv/dt estremamente elevata, applicazioni di commutazione. Id(imp): 33.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK100Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 98 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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