Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP11N60C3

Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP11N60C3. Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 1200pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 33A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 11N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.