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Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V - SPA04N60C3

Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V - SPA04N60C3
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 2.19€ 2.67€
5 - 9 2.08€ 2.54€
10 - 24 1.97€ 2.40€
25 - 49 1.86€ 2.27€
50 - 88 1.82€ 2.22€
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Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V - SPA04N60C3. Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.

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Esaurito
SPU04N60C3

SPU04N60C3

Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=...
SPU04N60C3
Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
SPU04N60C3
Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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