Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V - SP0010-91630

Transistor a canale N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V - SP0010-91630
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
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2 - 2 28.90€ 35.26€
3 - 4 28.30€ 34.53€
5 - 9 27.69€ 33.78€
10 - 14 27.38€ 33.40€
15 - 19 26.77€ 32.66€
20 - 30 25.86€ 31.55€
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Transistor a canale N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V - SP0010-91630. Transistor a canale N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.041 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 8180pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 630 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt . Protezione GS: NINCS. Id(imp): 267A. ID (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: 6R041P6. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 481W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 29 ns. Tecnologia: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 02:25.

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SPP17N80C3

SPP17N80C3

Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=2...
SPP17N80C3
Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V
SPP17N80C3
Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V
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Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=2...
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